快科技 12 月 19 日音讯，据报说念，俄罗斯已公布自主征战 EUV（极紫外光刻）光刻机的阶梯图反差 推特，主义是比 ASML 的光刻机更低廉、更容易制造。

据悉，俄罗斯的自主光刻机摄取 11.2nm 的激光光源，而非 ASML 步调的 13.5nm。这种波长将与现存的 EUV 建造不兼容，需要俄罗斯征战我方的光刻生态系统，这可能需要十年或更长时代。

包括电子蓄意自动化（EDA）器具也需要进行更新。天然现存 EDA 器具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本要津，但波及曝光的要害制程，如光罩数据准备、光学驾御矫正（OPC）和区别率增强时期（RET），则需要再行校准或升级为合适 11.2nm 的新制程模子。

该方式计较由俄罗斯科学院微结构物理相关所的 Nikolay Chkhalo 指引，主义是制造性能具竞争力且具本钱上风的 EUV 光刻机，以抵挡 ASML 的建造。

Chkhalo 暗意，11.2nm 波长的区别率援救了 20%，不错提供更邃密的细节，同期简化蓄意并裁减光学元件的本钱。

这种退换权贵减少了光学元件的沾污，延迟了网罗器和保护膜等要害部件的使用寿命。

俄罗斯的光刻机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能发达。 尽管该光刻机产量仅为 ASML 建造的 37%，因为其光源功率仅 3.6 千瓦，但性能足以应酬小限度芯片坐蓐需求。

据报说念，俄罗斯光刻机的征战责任将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础相关、要害时期识别与初步元件测试。

第二阶段将制造每小时可责罚 60 片 200 毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片坐蓐线。

第三阶段的主义是打造一套可供工场使用的系统，每小时可责罚 60 片 300 毫米晶圆。

现在还不明晰其光刻机将援救哪些制程时期，阶梯图也未提到各阶段完成的时代表。

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